【环球时报综合报道】“美国拟对中企禁售NAND闪存设备，韩国半导体产业或‘躺枪’”，韩国《亚洲经济》8月2日的报道称，美国继对华禁售14纳米以下光刻机等半导体设备后，正在考虑限制向中国存储半导体制造商出口美国半导体制造设备，三星电子和SK海力士等韩国半导体大厂或因此蒙受损失。

报道称，美方此次计划禁止对华销售用于制造128层堆叠以上的NAND闪存芯片设备，限制对象包括长江存储等，目前尚处于初步讨论阶段，暂无起草计划。目前生产制造128层堆叠以上的NAND闪存芯片设备包括美国的应用材料公司和泛林集团等企业。若这项限制计划最终获批，将是美方首次通过出口管制来限制中国生产非军事用途的存储芯片。

有专家认为，这项计划最大的受害者有可能是韩国半导体产业，尤其是三星电子和SK海力士。目前三星电子在西安和苏州建有两座NAND闪存芯片工厂，SK海力士则在无锡、重庆和大连建有生产线。SK海力士此前完成收购英特尔在中国的NAND闪存芯片制造业务。若美方此次计划获批，美国芯片设备将被禁止运往这两家韩企位于中国的工厂。资料显示，成立于2016年的长江存储已成功量产128层NAND闪存芯片，并有传闻称最快可能于2022年年底量产232层NAND闪存芯片。美国白宫在去年6月发布的一份报告中指出，长江存储的扩张战略对美光科技、西部数据等美国企业构成“直接威胁”。