业绩翻番,订单爆棚!这一赛道产能紧张或延至2025年

热点资讯2022-10-28 07:41:36智慧百科

业绩翻番,订单爆棚!这一赛道产能紧张或延至2025年

中国基金报记者 文夕

新能源汽车与光伏赛道需求火爆,令“动力CPU”供需平衡遥遥无期。

近期,多家功率半导体器件(IGBT)上市公司公布前三季度业绩,其中赛道龙头斯达半导与时代电气业绩高增长印证了赛道高景气度。斯达半导预计前三季度归母净利润超120%,而时代电气功率半导体器件也实现近八成业绩增幅。

记者从多方获悉,目前IGBT供需紧张局面未有丝毫缓解。在包括英飞凌、意法半导体等国际大厂年底调价预期影响下,国内订单持续爆棚。有厂商预计供需紧张将延续至2024-2025年,并直言“客户希望锁定2025年订单”。在这一背景下,国内厂商纷纷走上扩产之路。

多位赛道玩家业绩翻番

IGBT是新能源汽车主控、风光储逆变器/变流器、以及工控核心功率器件,新能源汽车渗透率提升、风光储需求崛起,IGBT市场规模随之增长。这一赛道从今年年初以来,便陷入持续供货紧张局面。

近期,多家IGBT上市公司披露的三季报印证了这一状况。在车规级IGBT领域,斯达半导与时代电气为国内主要玩家。斯达半导25日披露的三季报预告显示,其前三季度预计实现归母净利润5.88亿元-5.92亿元,同比增长120.42%-121.93%。


需要注意的是,斯达半导单三季度预计实现归母净利润2.41亿元-2.45亿元,同比增长114.10%-117.65%,环比增长23.38%-25.43%。从环比来看,其业绩高速增长趋势仍处于加速状态。

时代电气三季报显示,其在今年前三季度实现营收108.76亿元,同比增长27.56%,净利润达到15.63亿元,同比增长近三成。表面上看,并不如斯达半导业绩增长迅猛,但细分来看,其功率半导体器件实现营收12.92亿元,同比增长高达77.82%。另外,该公司新能源汽车电驱系统实现营业收入8.35亿元,同比增长193.83%。

除此之外,扬杰科技前三季归母净利润为8.75亿元-9.88亿元,比上年同期增长55%-75%。其中,MOSFET、IGBT、SiC等功率半导体器件销售收入同比增长均超过100%。

而凭借光伏赛道的高景气度,东微半导前三季度实现营收7.9亿元,同比增长41.29%,归母净利润2亿元,同比增长达到115.62%。

供需平衡遥遥无期

业绩高增长的背后是行业高景气度。据Digitimes显示,国际功率半导体巨头罗姆计划于10月1日起上调产品价格,意法半导体、英飞凌等厂商亦有计划于Q4提高工业和汽车功率器件价格。此外,三季度海外大厂功率器件交期仍维持高位,如英飞凌IGBT产品交期仍在39-50周。

一直以来,IGBT供给端长期以来由欧美及日本厂商垄断,全球前十大供应商市占率79%,中国在全球的供给比重远低于需求比重,国产替代需求迫切。而正是由于国际大厂在价格和交期方面维持高位,也让国内厂商顺利“吃下”部分市场份额,这也导致国内厂商今年供需持续紧张。

“由于近期IGBT紧缺,国内很多新能源的企业都希望能够和我们合作。基于供应链的优势,我们的光伏逆变器、汽车电驱、工业变流器的订单快速增长,”时代电气近期在机构调研中直言。

该公司表示,由于国内外市场需求旺盛,目前市场处于产能紧缺状态,公司新能源汽车IGBT明年订单基本已全部锁定。“从我们订单情况来看,到2024、2025年都是处于目前状态。很多客户都希望锁定2025年的订单。”

而正切入车规级IGBT领域的宏微科技也表示,新能源汽车主驱IGBT模块新产线的产能在上量爬坡中,车规在手订单饱和可持续到年末。随着后续产能释放,预计明年该块业务收入占比会提升。此外,包括扬杰科技、士兰微在内的赛道内公司,均表示在手订单充足。

国内厂商订单源源不断,也令市占率明显提升。据爱集微数据显示,2022年一季度国内出货量前五的功率器件供应商中,已经有三家中国本土企业入列,分别为斯达半导、比亚迪半导体、时代电气,三家合计装机量占比约40%。终端需求扩容叠加国产化率提升,国内企业迎来发展黄金期。

产能扩张在路上

从IGBT下游需求端看来,无论新能源汽车还是光伏高增长预期远未结束。为缓解供需错配状况,国内厂商近期密集宣布扩产。

时代电气目前二期产能已接近24万片的设计产能。该公司日前公告,控股子公司中车时代半导体拟投资中低压功率器件产业化建设项目,项目投资总额约111.2亿元。其中包括分别用于新能源汽车领域以及新能源发电、工控、家电领域的年产36万片8英寸中低压组件基材产能。

士兰微近日也披露非公开发行A股股票预案,拟定增募集资金总额不超过65亿元,用于年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目(一期)、补充流动资金。

今年9月24日,斯达半导宣布定增获得发审委通过,将募资35亿元用于IGBT芯片、SiC芯片的研发及生产。预计将会达成6英寸IGBT产能30万片/年,6英寸SiC芯片产能6万片/年。


不过,这些规划产能“远水难解近渴”。“产能规划到实际投产之间,有漫长的产能爬坡阶段,而且主机厂还有较长的认证期,所以短期来看,国内供需错配局面很难改变,”国内某功率半导体厂商人士告诉记者。

实际上,从项目扩产周期看,时代电气三期项目建设期约24个月,士兰微定增项目建设期为3 年。时代电气方面近期也表示,其三期产能项目要2024年6-7月才会投产。

编辑:小茉

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本文标签: igbt  半导体  光伏  逆变器  士兰微  

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