8月3日,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示,此次238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。
热点资讯2022-08-03 08:20:46佚名
8月3日,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示,此次238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。